Trotz der zusätzlichen Leistung verbessert dieses DDR5-Modul seinen Vorgänger durch eine modulinterne Spannungsregelung. Ein integrierter Stromverwaltungsschaltkreis (PMIC) reduziert die Belastung der Hauptplatinensteuerung und führt zu einer niedrigeren Spannung von 1,1 V gegenüber 1,2 V bei DDR4 für einen noch geringeren Stromverbrauch.
Höhere Rechenleistung
Und das ist noch nicht alles, was sich verdoppelt hat: Die minimale Burst-Länge beträgt bei diesem DDR5-Modul bis zu 16 statt 8 wie bei DDR4. Dadurch wird die Effizienz des Datenbusses verbessert, da doppelt so viele Daten auf dem Bus zur Verfügung stehen und folglich die Anzahl der Lese-/Schreibvorgänge für den Zugriff auf dieselbe Cache-Datenzeile reduziert wird.
Weniger Raum für Fehler
Dieses DDR5-Modul führt On-Die ECC (Error Correction Code) ein, eine Funktion, die entwickelt wurde, um Bitfehler in Echtzeit innerhalb des DRAM-Chips zu korrigieren. Auf diese Weise hält diese fortschrittliche Technologie Ihr System zuverlässig stabil und korrigiert Datenfehler automatisch.
2 Kanäle sind besser als 1
Für noch mehr Leistung verfügt dieses DDR5-Modul über zwei unabhängige 32-Bit-Kanäle pro Modul. Im Vergleich zum DDR4-Kanal erhöht die Aufteilung in zwei Kanäle die Effizienz und senkt die Latenzzeiten der Datenzugriffe für den Speicher-Controller, um die Effizienz zu optimieren.