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Beschreibung
Leistung verbessern mit geringerer Latenz
Die Intel SSD D7-P5510 bietet vorhersehbar hohe Leistung und Geschwindigkeit und kann All-Flash-Arrays signifikant beschleunigen. Eine innovative TRIM-Architektur bietet zusätzliche Leistungsverbesserungen bei praxisorientierten Aufgaben, die "Dataset Management"-Befehle nutzen. Die optimierte TRIM-Architektur läuft jetzt als Hintergrundprozess, ohne dabei die Workloads zu behindern, wodurch Leistung und Dienstgüte während gleichzeitiger TRIMs verbessert werden. Der TRIM-Prozess wird mit einem reduzierten Write-Amplification-Faktor verbessert, was dazu beiträgt, dass Datenträger ihr Langlebigkeitsziel erreichen.
Firmware-Verbesserungen für die Datenträgerleistung, IT-Effizienz, Datensicherheit und Verwaltbarkeit
Die Intel SSD D7-P5510 umfasst zahlreiche Firmware-Erweiterungen, die speziell dafür ausgelegt sind, die IT-Effizienz und Datensicherheit in einer zunehmend datenzentrierten Welt zu verbessern. Die Nutzung mehrerer dynamischer Namespaces verbessert das Runtime Provisioning und die Datenspeicherverwaltung. Überbereitstellungs-Laufwerke mit einzelnen kleineren Namespaces verbessern die Langlebigkeit und die Leistung bei wahlfreien Schreibzugriffen.
NAND-Technik
Intels 144-Layer-3D-NAND-Technik bietet fortschrittliche Merkmale für Speicherdichte und Datenspeicherung, die es Unternehmenskunden ermöglichen, Speicher-Arrays zuversichtlich zu skalieren, um wachsenden Anforderungen gerecht zu werden. Die rasche Einführung von softwaredefinierten und hyperkonvergenten Infrastrukturen verstärkt die Notwendigkeit, die Effizienz zu maximieren, bereits vorhandene Hardware auf neue Weise zu nutzen und die Agilität der Server zu steigern - und das alles unter Beibehaltung der Betriebssicherheit.
Die Intel SSD D7-P5510 bietet vorhersehbar hohe Leistung und Geschwindigkeit und kann All-Flash-Arrays signifikant beschleunigen. Eine innovative TRIM-Architektur bietet zusätzliche Leistungsverbesserungen bei praxisorientierten Aufgaben, die "Dataset Management"-Befehle nutzen. Die optimierte TRIM-Architektur läuft jetzt als Hintergrundprozess, ohne dabei die Workloads zu behindern, wodurch Leistung und Dienstgüte während gleichzeitiger TRIMs verbessert werden. Der TRIM-Prozess wird mit einem reduzierten Write-Amplification-Faktor verbessert, was dazu beiträgt, dass Datenträger ihr Langlebigkeitsziel erreichen.
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Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
7.68 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
2.5" (6.4 cm)
Schnittstelle
U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz
Höhe
15 mm
Gewicht
138 g
Leistung
SSD-Leistung
14 PB
Interner Datendurchsatz
7000 MBps (lesen)/ 4194 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
930000 IOPS
4 KB Random Write
190000 IOPS
Mittlere Wartezeit
16 µs
Zuverlässigkeit
MTBF
2,000,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
18 Watt (aktiv) ¦ 5 Watt (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
2.17 g @ 5-700 Hz
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
3.13 g @ 5-800 Hz
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