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Beschreibung
Hohe Leistung
Durch die Entwicklung einer Festplatte, die auf effizientem Speicher in 3D-NAND-Technologie basiert, erreicht GOODRAM sequenzielle Übertragungsparameter von bis zu 2050 MB/s beim Lesen und 1650 MB/s beim Schreiben.
Viele Möglichkeiten mit NVMe
Das NVM Express-Kommunikationsprotokoll wurde von Grund auf entwickelt, um das Potenzial schneller Flash-basierter Speichermedien auszuschöpfen. Durch den Einsatz in der PX500 Gen.2 SSD konnte GOODRAM die maximale Leistung aus dem Speicher, dem Controller und der PCIe Gen3 x4-Schnittstelle herausholen. NVMe reduziert die Latenz und die Warteschlangen drastisch und sorgt so für eine viel bessere Reaktionsfähigkeit im Vergleich zu AHCI-basierten SSDs.
Wärme unter Kontrolle
Eines der Probleme des M.2-SSD-Formats ist die thermische Drosselung - eine Einschränkung der Effizienz aufgrund einer zu hohen Umgebungstemperatur. Um dies in den Griff zu bekommen, verfügt die PX500 Gen.2 über eine spezielle Beschichtung aus Kupfer und Graphit. Dank dieser Beschichtung hat GOODRAM eine sehr gute Wärmeableitung erreicht, ohne die Größe der Festplatte zu erhöhen.
Durch die Entwicklung einer Festplatte, die auf effizientem Speicher in 3D-NAND-Technologie basiert, erreicht GOODRAM sequenzielle Übertragungsparameter von bis zu 2050 MB/s beim Lesen und 1650 MB/s beim Schreiben.
Viele Möglichkeiten mit NVMe
Das NVM Express-Kommunikationsprotokoll wurde von Grund auf entwickelt, um das Potenzial schneller Flash-basierter Speichermedien auszuschöpfen. Durch den Einsatz in der PX500 Gen.2 SSD konnte GOODRAM die maximale Leistung aus dem Speicher, dem Controller und der PCIe Gen3 x4-Schnittstelle herausholen. NVMe reduziert die Latenz und die Warteschlangen drastisch und sorgt so für eine viel bessere Reaktionsfähigkeit im Vergleich zu AHCI-basierten SSDs.
Wärme unter Kontrolle
Eines der Probleme des M.2-SSD-Formats ist die thermische Drosselung - eine Einschränkung der Effizienz aufgrund einer zu hohen Umgebungstemperatur. Um dies in den Griff zu bekommen, verfügt die PX500 Gen.2 über eine spezielle Beschichtung aus Kupfer und Graphit. Dank dieser Beschichtung hat GOODRAM eine sehr gute Wärmeableitung erreicht, ohne die Größe der Festplatte zu erhöhen.
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
512 GB
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Merkmale
3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3
Breite
80 mm
Tiefe
22 mm
Höhe
3.5 mm
Leistung
Interner Datendurchsatz
2000 MBps (lesen)/ 1600 MBps (Schreiben)
Zuverlässigkeit
MTBF
2,000,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Key M
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Verschiedenes
Verpackungsdetails
Blister-Verpackung
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 3 Jahre ¦ Technischer Support - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-45 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
- Zustand: Neuware, Bulk
Bewertungen
- Zustand: Neuware, Bulk
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