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Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Breite
22 mm
Tiefe
80 mm
Höhe
2.3 mm
Gewicht
9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1600000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.5 Watt (Durchschnitt)
55 mW (Leerlauf)
55 mW (Leerlauf)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung
IEEE 1667
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
- Zustand: Neuware
- Zustand: Neuware
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