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Beschreibung
3D NAND in einem einfachen PC-Upgrade
Mit 3D NAND Flash zeichnet sich die SU650 durch einen höheren Wirkungsgrad und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu 2D NAND SSDs mit einem verbesserten Preis-Leistungsverhältnis aus.
Schnellere Leistung
Der intelligente SLC-Caching-Algorithmus ermöglicht den Betrieb des NAND-Flash-Speichers im Single-Level-Zellmodus und steigert die Leistung.
Erweiterter Fehlerkorrekturcode
Mit der Unterstützung für die ECC-Technologie (Error Correction Code) kann die SU650 Fehler erkennen und beheben, um die Datenintegrität zu gewährleisten und die Lebensdauer der SSD zu verlängern.
Robuster, leiser und zuverlässiger
Die SSDs enthalten keine mechanischen Komponenten, so dass sie herkömmliche HDDs mit einer höheren Schock-, Vibrations- und Temperaturbeständigkeit übertreffen. Sie sind außerdem völlig geräuschlos und verbrauchen nur sehr wenig Strom, während sie Ihre Daten besser schützen.
Mit 3D NAND Flash zeichnet sich die SU650 durch einen höheren Wirkungsgrad und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu 2D NAND SSDs mit einem verbesserten Preis-Leistungsverhältnis aus.
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Erweiterter Fehlerkorrekturcode
Mit der Unterstützung für die ECC-Technologie (Error Correction Code) kann die SU650 Fehler erkennen und beheben, um die Datenintegrität zu gewährleisten und die Lebensdauer der SSD zu verlängern.
Robuster, leiser und zuverlässiger
Die SSDs enthalten keine mechanischen Komponenten, so dass sie herkömmliche HDDs mit einer höheren Schock-, Vibrations- und Temperaturbeständigkeit übertreffen. Sie sind außerdem völlig geräuschlos und verbrauchen nur sehr wenig Strom, während sie Ihre Daten besser schützen.
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
512 GB
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
SATA 6Gb/s
Breite
22 mm
Tiefe
80 mm
Höhe
3.5 mm
Gewicht
7 g
Leistung
SSD-Leistung
210 TB
Übertragungsrate Laufwerk
600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz
550 MBps (lesen)/ 510 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
80000 IOPS
4 KB Random Write
60000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
2,000,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Verschiedenes
Kennzeichnung
RoHS, KCC
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
- Zustand: Neuware, Bulk
- Festplattentyp: Serial ATASSD
- Speicherkapazität: 420 GB - 563 GB
- Baugröße: Sonstige Baugröße
Bewertungen
- Zustand: Neuware, Bulk
- Festplattentyp: Serial ATASSD
- Speicherkapazität: 420 GB - 563 GB
- Baugröße: Sonstige Baugröße
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